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La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

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La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

Publié dans Semi-conducteurs

Les nouveaux modules Mosfet 1200V de la famille CoolSiC de l'allemand ciblent essentiellement les marchés des alimentations UPS et du stockage de l'énergie.

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Cree et STMicroelectronics annoncent un accord pluriannuel portant sur la fourniture de tranches en carbure de silicium qui a pour objectif d'accélérer le développement commercial du SiC dans les applications automobiles et industrielles.

Publié dans Vie des entreprises

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

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Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

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Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

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Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

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La résistance à l’état passant de ce Mosfet de puissance canal N référencé SCT20N120 est typiquement de 215 mOhms.

Publié dans Semi-conducteurs
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