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Cree et STMicroelectronics annoncent un accord pluriannuel portant sur la fourniture de tranches en carbure de silicium qui a pour objectif d'accélérer le développement commercial du SiC dans les applications automobiles et industrielles.

Publié dans Vie des entreprises

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

Publié dans Semi-conducteurs

Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

Publié dans Semi-conducteurs

Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

Publié dans Semi-conducteurs

Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

Publié dans Semi-conducteurs

La résistance à l’état passant de ce Mosfet de puissance canal N référencé SCT20N120 est typiquement de 215 mOhms.

Publié dans Semi-conducteurs

Ce module combine un IEGT et une diode à recouvrement rapide en carbure de silicium. Le choix d’un tel matériau se traduit par des pertes moindres.

Publié dans Semi-conducteurs

Dans une configuration bras de pont, ces modules hybrides de 1200V incluent des IGBT accouplés à des diodes Schottky en carbure de silicium.

Publié dans Energie

L'américain introduit la série CPW5 composée de quatre modèles de 650 V à 1700 V, supportant un courant direct de 30 A ou 50 A.

Publié dans Semi-conducteurs

Cissoid annonce sa seconde génération de drivers haute tension pour la commande de commutateurs de puissance en silicium ou en carbure de silicium. La température de fonctionnement est ici de 225°C.

Publié dans Semi-conducteurs
18 janvier 2019
17 janvier 2019
16 janvier 2019
15 janvier 2019
14 janvier 2019

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