Des substrats qui améliorent de 30 % les performances des circuits intégrés

Le 07/10/2004 à 7:00 par Jean Guilhem
La production en volume de tranches de silicium contraint sur isolant de 300 mm de diamètre coïncidera vraisemblablement avec l’émergence des technologies 65 nm et moins à l’horizon 2006. Mais les premiers échantillons devraient sortir dès cet automne des salles blanches de Soitec. C’est en France, chez Soitec, que démarre actuellement la première ligne pilote au monde…
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