Des flash NAND en technologie 22 nm dès 2010 ?

Le 21/09/2009 à 12:25 par Philippe Schwartz

Toshiba et SanDisk pourraient en lancer la production dans la deuxième moitié de l’année prochaine. Le fabricant japonais de mémoires Toshiba et son partenaire américain en mémoires flash NAND envisagent de lancer la production de mémoires flash NAND en technologie 22 nm dès l’année prochaine. Cette technologie devrait accélérer le remplacement des disques durs magnétiques par des disques flash.
La génération technologique permet en effet de réduire sensiblement la taille et le coût des flash NAND.
La fabrication devrait être lancée au second semestre 2010 dans l’usine de Yokkaichi, une usine dont la capacité de production mensuelle serait portée à 200 000 tranches. C’est dans cette usine que sont produites en volume les flash NAND à 3 bits par cellule en technologie 32 nm.

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