Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de 3750Veff.

Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des formats SDIP6 ou DIP8.

Les régulateurs de tension de la série TCR15AG sont encapsulés dans un boîtier WCSP6F, dont les dimensions sont de seulement 1,2x0,8x0,3mm.

Les dix premiers acteurs en termes de dépenses de R&D ont consacré 35,9 milliards de dollars en 2017 à ce poste de dépenses.

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Le TCB001FNG en boîtier CMS offre quatre canaux délivrant chacun 45W, sous une charge de 4 Ohms et avec une tension d'alimentation de 15,2V.

Le japonais développe une mémoire flash Nand à empilement embarquant 512 Gbits répartis sur 96 couches, pour une densité inégalée.

Le japonais propose une plateforme de développement Bluetooth LE 4.2 complète embarquée dans une clé USB.

Le japonais lance deux circuits d'émission-réception supportant la norme Bluetooth 5.0.

Les LDO de 300mA de la série TCR3UG de Toshiba sont proposés dans un boîtier de 0,645mm de côté, dont l'épaisseur est inférieure à 0,33mm.