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Revue ElectroniqueS > ElectroniqueS n°29 - Tendance

Lithographie : L'euv Et L'écriture Directe Attendront Le 10 Nm

Rédigé par  dimanche, 01 juillet 2012 12:00
Les difficultés encore à vaincre laissent à penser que l'usage industriel de l'écriture directe à partir de multiples faisceaux d'électrons et de la lithographie aux UV extrêmes ne deviendra une réalité qu'à partir de la technologie 10 nm. Pour le 14 nm, il devrait y avoir des poches d'écriture directe et de lithographie EUV dans un paysage dominé par la lithographie 193 nm en immersion avec multipatterning.

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