Transistors Mos de puissance 550 V et 1 100 V

Le 13/12/2002 à 0:00 par La rédaction
La société a augmenté la tenue en tension de ses transistors Mos 500 V et 1 000 V. Résistance à l’état passant : 50 mO à 310 mO en 550 V, 260 à 1 200 mO en 1 100 V Tenue en courant : 10 A à 80 A Boîtier : TO-247, T-Max, TO-264, 264-Max, Isotop Sot-227 Fabricant : APT Rens. : www.advancedpower.com
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