Association diode Schottky et Mos en boîtier hermétique

Le 13/12/2002 à 0:00 par La rédaction
Cette association d’une diode Schottky et d’un Mos en parallèle dans un boîtier hermétique permet de réduire l’encombrement de l’étage de redressement synchrone des convertisseurs pour les applications militaires et spatiales ainsi que l’inductance parasite entre les deux. Tenue en courant : 75 A Tenue en tension : 30 V ou 60 V Résistance série à l’état passant : 4 mO ou…
La lecture de cet article est réservée aux abonnés.
Connectez-vous ou abonnez-vous pour y accéder.
Copy link
Powered by Social Snap