Transistor en GaN et pilote de grille font bon ménage

Le 24/01/2017 à 12:00 par Philippe Dumoulin
Exploiter le potentiel des Fet de puissance en nitrure de gallium suppose une parfaite adéquation entre le transistor et son driver de grille. Pour limiter notamment l’impact des inductances parasites, sources de pertes énergétiques et de stress, plusieurs sociétés ont opté pour une approche monolithique ou pour une intégration des éléments cités dans un module…
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