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Des transistors GAA en 3nm dès 2022 chez Samsung?
Le sud-coréen accélère la roadmap de ses technologies de production. Au programme: du FinFET 7nm au second semestre, du FD-SOI 18nm l’an prochain et des puces à transistors gate all around 3nm en 2021/22. = Entré de plain-pied dans le marché de la fonderie, Samsung entend se donner les moyens d’y concurrencer efficacement TSMC, Globalfoundries…
