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Revue ElectroniqueS > ElectroniqueS n°96 - ACTUALITÉ - SEMI-CONDUCTEURS

FMC mise sur une mémoire ferroélectrique originale

Rédigé par  mardi, 25 septembre 2018 00:00
La jeune pousse allemande développe une technologie de cellule mémoire ferroélectrique basée sur l'oxyde d'hafnium et annoncée comme plus simple à produire et plus performante que les Fram actuelles.

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