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Revue ElectroniqueS > ElectroniqueS n°108 - PUISSANCE

LES TRANSISTORS AU NITRURE DE GALLIUM POUR L'ÉLECTRONIQUE DE PUISSANCE

Rédigé par  jeudi, 31 octobre 2019 00:00
Dans un nombre croissant de systèmes électroniques de puissance, les transistors à base de nitrure de gallium (GaN) remplacent avantageusement leurs rivaux (Mosfet et composants bipolaires) en silicium. Les gains obtenus en termes de rendement énergétique, de fréquence de commutation, de compacité de la solution finale… expliquent cet engouement.

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