Mosfet 12 V canal P

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Mosfet 12 V canal P

Rédigé par Pascal Coutance vendredi, 26 février 2010 09:23

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Série SiB455EDK de Vishay Intertechnology

Ce transistor est caractérisé par une résistance à l’état passant parmi les plus faibles de l’industrie.

Technologie TrenchFET III
Tenue en tension : 12 V
Résistance à l’état passant : 27 mOhms à 4,5 V
Boîtier PowerPAK SC-75

Rens. www.vishay.com

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