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Transistor HEMT GaN large bande

Rédigé par  lundi, 12 avril 2010 15:27
Transistor HEMT GaN large bande
Série RF3931 de RF Micro Devices
Ce transistor RF de puissance, non adapté, offre une large bande passante, une courbe de gain plate et un rendement élevé.







  • Bande de fréquence : DC à 3 GHz
  • Tension de drain : 28 V à 48 V
  • Puissance de sortie : 30 W à P3dB
  • Rendement en puissance ajoutée : 65 %
  • Gain : 15 dB à 2 GHz
Rens. www.rfmd.com
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Embarqué
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