Electroniques.biz

Transistor HEMT GaN large bande

Rédigé par  lundi, 12 avril 2010 15:27
Transistor HEMT GaN large bande
Série RF3931 de RF Micro Devices
Ce transistor RF de puissance, non adapté, offre une large bande passante, une courbe de gain plate et un rendement élevé.







  • Bande de fréquence : DC à 3 GHz
  • Tension de drain : 28 V à 48 V
  • Puissance de sortie : 30 W à P3dB
  • Rendement en puissance ajoutée : 65 %
  • Gain : 15 dB à 2 GHz
Rens. www.rfmd.com
13 octobre 2019
11 octobre 2019
10 octobre 2019
9 octobre 2019
8 octobre 2019

Embarqué
Adm21: système  GPU + COM Express de type 7 ConnectTech Connect Tech annonce la sortie de son nouveau système embarqué GPU Type 7 + COM Express. Ce système [...]
Pour communiquer sur vos produits,
alrouaud@newscoregie.fr - 01 75 60 28 61

Sondage express

Technologies émergentes
Parmi ces applications émergentes pour l'électronique, quelle est celle que vous estimez être la plus prometteuse pour l'électronique française ?
Pour toute question, merci de nous contacter
12/11/2019 - 15/11/2019
Productronica
12/11/2019 - 15/11/2019
Semicon Europa
18/11/2019 -
Medica 2019
05/12/2019 - 08/12/2019
Healthcare Expo Taiwan