Electroniques.biz

Transistor HEMT GaN large bande

Rédigé par  lundi, 12 avril 2010 15:27
Transistor HEMT GaN large bande
Série RF3931 de RF Micro Devices
Ce transistor RF de puissance, non adapté, offre une large bande passante, une courbe de gain plate et un rendement élevé.







  • Bande de fréquence : DC à 3 GHz
  • Tension de drain : 28 V à 48 V
  • Puissance de sortie : 30 W à P3dB
  • Rendement en puissance ajoutée : 65 %
  • Gain : 15 dB à 2 GHz
Rens. www.rfmd.com
25 septembre 2020
24 septembre 2020
23 septembre 2020
22 septembre 2020
21 septembre 2020

Composants
ZOOM SUR LE MODULE UBLOX ZED F9P ! Conçu dans un format compact, le module ZED-F9P est équipé de la nouvelle génération de chipset [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
29/09/2020 - 01/10/2020
Forum de l'électronique/Sepem Industries
03/11/2020 - 04/11/2020
IBS (Intelligent Building Systems)
10/11/2020 - 13/11/2020
Electronica
01/12/2020 - 03/12/2020
Aeromart