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Mosfet durcis aux radiations

Rédigé par  mardi, 31 mai 2011 15:23
Mosfet durcis aux radiations
Séries JANSR2N7503U8 et JANSR2N7506U8 d'International Rectifier
Ces transistors pour applications spatiales sont encapsulés dans un boîtier CMS hermétique et compact.







  • Tenue en tension : 100 V
  • Dose totale d’ions : 100 krad(Si)
  • Versions à canal N ou P
  • Boîtier SMD0.2 de 8 x 5 x 3 mm
Rens. www.irf.com
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