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Mosfet 100 V de puissance

Rédigé par  mardi, 30 août 2011 16:35
Mosfet 100 V de puissance
Séries SiR870DP, sI4190DY de Vishay Intertechnology
Bénéficiant de la technologie ThunderFET de la société, ces transistors affichent de faibles résistances à l’état passant.






  • Tension grille-source : ± 20 V
  • RDS(on) : 6 ou 8,8 mW à 10 V
  • Facteur de mérite : 334 ou 340 mOhm.nC à 10 V
  • Boîtiers : SO-8 et PowerPAK SO-8
Rens. www.vishay.com
21 février 2019
20 février 2019
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18 février 2019

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Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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