Electroniques.biz

Mosfet 100 V de puissance

Rédigé par  mardi, 30 août 2011 16:35
Mosfet 100 V de puissance
Séries SiR870DP, sI4190DY de Vishay Intertechnology
Bénéficiant de la technologie ThunderFET de la société, ces transistors affichent de faibles résistances à l’état passant.






  • Tension grille-source : ± 20 V
  • RDS(on) : 6 ou 8,8 mW à 10 V
  • Facteur de mérite : 334 ou 340 mOhm.nC à 10 V
  • Boîtiers : SO-8 et PowerPAK SO-8
Rens. www.vishay.com
3 mars 2021
2 mars 2021
1 mars 2021
28 février 2021
26 février 2021

Composants
LED UV Toujours plus d’applications pour la LED UV Avec des performances qui ne cessent de s’améliorer [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
10/03/2021 - 11/03/2021
IBS (Intelligent Building Systems)
04/05/2021 - 06/05/2021
PCIM Europe
04/05/2021 - 06/05/2021
SMTconnect
01/06/2021 - 03/06/2021
JEC World 2021