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lundi, 15 décembre 2014 08:47

Renesas gonfle ses SRam basse consommation

Le japonais Renesas lance des SRam basse consommation de 8 Mbits en technologie 110 nm, et planche sur des modèles 16 Mbits.

Publié dans Semi-conducteurs

L'américain échantillonne des Sram asynchrones à correction d'erreurs 16 Mbits.

Publié dans Semi-conducteurs

La mémoire asynchrone à haute fiabilité de Cypress vise les applications industrielles, automobiles, militaires ou médicales.

Publié dans Semi-conducteurs
mercredi, 02 avril 2014 09:54

Les Sram QDR passent la quatrième

Cypress lance des Sram QDR-IV délivrant jusqu'à 2132 millions de transactions par seconde.

Publié dans Semi-conducteurs

Samsung a présenté une mémoire Sram 6T basse consommation de 128 Mbits en technologie FinFET 14 nm.

Publié dans Semi-conducteurs
mercredi, 13 novembre 2013 13:43

La Sram se mue en buffer vidéo

Cypress lance une mémoire Sram Fifo de 72 Mbits destinée à remplacer les Dram dans les applications de mise en tampon vidéo.

Publié dans Semi-conducteurs

L'anglais fabrique ses premiers circuits mémoire dans la technologie FD-SOI 28 nm de ST.

Publié dans Semi-conducteurs
vendredi, 25 octobre 2013 16:11

Mémoires Sram 4 Mbits

Ces mémoires Sram d’une capacité de 4 Mbits consomment moins de 2 µA en veille.

•       Technologie Cmos 110 nm

RMLV0416E, RMLV0414E et RMLV0408EAMD

Renesas Electronics

www.renesas.com

Publié dans Composants
mercredi, 25 septembre 2013 05:12

Les SRam avancées de Renesas passent au 110 nm

Ces mémoires offrent la même fiabilité que les modèles 150 nm actuels, et une consommation de seulement 2 µA en veille.

 

Publié dans Semi-conducteurs
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