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Mosfet canal n à faible résistance

Rédigé par  jeudi, 20 juillet 2017 00:00
Mosfet canal n à faible résistance

Dans les appareils mobiles, ces Mosfet feront typiquement office de commutateurs de charge.

• Tenue en tension: 30 V, 40 V • Procédé U-MOS série IX-H • Résistance nominale: 6,5mO, 8,9mO

• Boîtier SOT-1220 Réf. SSM6K513NU, SSM6K514NU Fab. Toshiba Electronics Europe Rens.www.toshiba.semicon-storage.com

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