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MOSFET DE PUISSANCE 60 V

Rédigé par  mercredi, 13 septembre 2017 00:00
MOSFET DE PUISSANCE 60 V

Ce transistor de la gamme U-MOS IX-H fait appel à un refroidissement par les deux faces.

• Résistance à l'état passant: 10mOhms à 10 V

• Courant de drain: 260 A

• Puissance maximale: 170 W

• Résistance thermique: 0,88 K/W

• Charge électrique de sortie: 77,5 nC

• Boîtier DSOP Advance

Réf. TPW1R306PL Fab. Toshiba Rens.www.toshiba.semicon-storage. com

24 novembre 2017
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systèmes embarqués, extensibles Vecow,processeur Skylake Vecow, distribué par ADM21, complète sa gamme, en lançant ses derniers systèmes embarqués durcis [...]
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