ISSCC 2017 : Infineon améliore la sensibilité des microphones Mems

Le 09/02/2017 à 17:59 par Frédéric Rémond

L’allemand a présenté un microphone micro-usiné affichant une dynamique de 140 dB, un rapport signal sur bruit de 67 dB et un point de surcharge acoustique de 136 dB.

San Francisco – Infineon a présenté lors de la conférence ISSCC un microphone Mems offrant une dynamique de 140dB SPL et un rapport signal sur bruit (entre 20Hz et 20kHz) de 67dB, des valeurs supérieures à ce qui existe aujourd’hui sur le marché. Le modèle présenté à San Francisco est fabriqué en technologie Cmos 130nm et repose sur une conception différentielle à deux membranes mobiles.

L’innovation principale réside dans le modulateur delta-sigma du troisième ordre utilisé pour numériser les signaux issus du capteur proprement dit. Contrairement aux modulateurs habituels des microphones Mems, dont la boucle de rétroaction repose sur le courant ou la charge du signal, celui-ci fonctionne en tension, ce qui augmente son impédance d’entrée. Une pompe de charge et un régulateur de tension internes permettent d’alimenter le capteur sous une tension unique de 1,8V. A noter que le point de surcharge acoustique AOP, ie le seuil acoustique à partir duquel la distorsion harmonique totale atteint 10%, est de 136dB, davantage que pour les microphones concurrents selon Infineon.

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