Electroniques.biz

Frédéric Rémond

L'américain présente un prototype de circuit FinFET 7 nm assurant à la fois la régulation de tension et de fréquence d'un processeur, sans inductance externe. 

Toshiba et Western Digital ont développé une mémoire flash Nand à 128 couches empilées et trois bits par cellule offrant une vitesse d'écriture de 132 Mo/s. 

L'américain intègre dans un microcontrôleur un capteur de contrainte piézoélectrique utilisant le même matériau PZT en film mince que la mémoire Fram embarquée.

Le fabricant sud-coréen présente l'étage d'émission-réception multistandard qui équipera ses premiers smartphones 5G.

Toshiba présente une mémoire flash à 96 couches et quatre bits par cellule d'une densité record de 8,5 Gbit/mm².

Analog Devices présente à la conférence ISSCC un convertisseur élévateur-abaisseur 2 MHz capable de fournir jusqu'à 48 W sous 12 V à partir d'une entrée comprise entre 4 V et 60 V, avec des émissions électromagnétiques réduites.

Le japonais présente un processeur développant pas moins de 20,5 Tops dans un budget thermique inférieur à 10 W, grâce notamment à l'intégration d'un réseau neuronal.

Le japonais a développé un microcontrôleur multicoeur 28 nm combinant une gestion avancée de la virtualisation des tâches, une interface Gigabit Ethernet et la conformité avec le standard de sûreté ASIL-D.

En partenariat avec Bosch Sensortec, l'américain a mis au point une carte de développement miniature associant pléthore de capteurs et son module Bluetooth à faible consommation.

Le fabricant dote ses capteurs inertiels à six axes d'un moteur de machine learning simplifiant la reconnaissance de mouvements tout en économisant la batterie de l'application.

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