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Frédéric Rémond

Le japonais lève le voile sur un Mosfet 1200 V en carbure de silicium bien plus rapide et frugal que les modèles silicium. 

La start-up anglaise échantillonne un capteur Mems de débit de gaz annoncé comme étant le plus compact de l'industrie.

Les contrôleurs DC-DC 80 V dont le japonais a initié la production en volume conviennent par exemple aux systèmes industrielles, informatiques et télécoms 48 V.

Les derniers imageurs Cmos pour imagerie industrielle de l'américain embarquent de 5 à 45 millions de pixels. 

L'autrichien réduit à 2x1x0,5 mm les dimensions de ses capteurs de luminosité ambiante et de proximité destinés aux smartphones. 

Le numéro un mondial des semi-conducteurs veut céder ses activités en mémoires flash Nand (hors Optane) au sud-coréen pour environ 9 milliards de dollars.

Selon SEMI, les livraisons de tranches de silicium destinées à la fabrication de composants électroniques devraient progresser de 2,4% cette année et de 5% l'an prochain.

Le taïwanais associe plusieurs coeurs de processeurs et un accélérateur d'intelligence artificielle à 285 GMAC/s dans une puce destinée principalement aux applications de reconnaissance visuelle et sonore.

Deux transistors Mosfet 40 V conformes AEC-Q101 tiennent désormais dans un boîtier mesurant 3,3x3,3 mm seulement.

L'américain échantillonne un capteur d'images Cmos embarquant 64 millions de pixels relativement gros (1 µm de côté), destiné aux téléphones portables haut de gamme. 

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