Le japonais lève le voile sur un Mosfet 1200 V en carbure de silicium bien plus rapide et frugal que les modèles silicium. 

Les contrôleurs DC-DC 80 V dont le japonais a initié la production en volume conviennent par exemple aux systèmes industrielles, informatiques et télécoms 48 V.

Les derniers imageurs Cmos pour imagerie industrielle de l'américain embarquent de 5 à 45 millions de pixels. 

L'autrichien réduit à 2x1x0,5 mm les dimensions de ses capteurs de luminosité ambiante et de proximité destinés aux smartphones. 

Le numéro un mondial des semi-conducteurs veut céder ses activités en mémoires flash Nand (hors Optane) au sud-coréen pour environ 9 milliards de dollars.

Deux transistors Mosfet 40 V conformes AEC-Q101 tiennent désormais dans un boîtier mesurant 3,3x3,3 mm seulement.

L'américain échantillonne un capteur d'images Cmos embarquant 64 millions de pixels relativement gros (1 µm de côté), destiné aux téléphones portables haut de gamme.