Ce module de 1200 V/100 A va permettre l’utilisation de fréquences de commutation jusqu’à 100 kHz, afin de diminuer la taille et le poids des convertisseurs de puissance. Cree annonce la mise en production de son premier module de puissance faisant exclusivement appel à des composants (Mosfet Z-Fet et diodes Schottky Z-Rec) réalisés selon une technologie carbure de silicium.
Référencé CAS100H12AM1, ce module de 50 x 87,5 mm, proposé en configuration demi-pont, affiche une tension de blocage de 1200 V. Son courant de drain est de 165 A et 105 A, à une température de boîtier de 25 °C et 105 °C, respectivement.

Dans les convertisseurs de puissance, l’apport du carbure de silicium se traduit par l’utilisation possible de fréquences de commutation élevées, soit jusqu’à 100 kHz. Avec, à la clé, des gains substantiels de termes de taille, de poids et de coût.