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Energie > Semiconducteurs de puissance

Un module de puissance 200°C

Rédigé par  mercredi, 14 octobre 2009 14:19
Powerex vient de lancer la commercialisation de deux modules de puissance en carbure de silicium.

Développés avec l'américain Cree Research spécialiste des semiconducteurs exotiques, les derniers modules de Powerex, référencés QJD1210006 et QJD1210007, sont des modules de puissance basés sur des transistors Mos en carbure de silicium.

Contrairement à leurs homologues à base d'IGBT silicium, ils sont spécifiés pour une plage de température de jonction de -40°C à +200°C. Configurés en demi pont avec deux transistors 100A par modules, ces modules intègrent une diode Schottky SiC de roue libre d'une tenue en courant de 50A ou 100A.

Ils offrent, selon la société, avec une fréquence de découpage de 20kHz, une réduction de 60% des pertes par conduction.

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