Le fabricant américain de composants passifs et semiconducteurs discrets propose un transistor Mos de 1mm de côté.

Destinés aux applications de commutation de charge, de gestion d’accumulateur, ou de gestion de chargeur, les Si8461DB et Si8465DB sont deux transistors Mos canal p encapsulés dans un boîtier d’une miniaturisation record, selon la fabricant Vishay Intertechnology : 1x1x0,548mm.

Il serait 9% plus petit que le plus petit modèle du marché en boîtier puce. La résistance à l’état passant du modèle Si8461DB est de 0,1? pour une tension de commande de 4,5V ce qui serait également record à un tel niveau de miniaturisation. Ce transistor est également spécifié pour des tensions de commande de 1,5V, 1,8V et 2,5V et supporte une tension de 20V.