Les DualCool NexFET de l’américain simplifient la conception des convertisseurs synchrones de point de charge, notamment. Texas Instruments a dévoilé une famille de Mosfet de puissance canal N, baptisés DualCool NexFET, tirant profit d’un boîtier innovant facilitant l’évacuation des calories via les deux faces de ce dernier.
Selon la société, vis-à-vis des Mosfet traditionnels dont l’empreinte est similaire (5×6 mm), de tels transistors sont susceptibles de délivrer un courant dont l’intensité est jusqu’à 50 % plus importante.
Il en résulte une conception simplifiée pour, par exemple, réaliser un convertisseur DC/DC synchrone de point de charge (POL) dans un système informatique, dédié aux télécoms ou aux réseaux.
Pour l’heure, la famille est forte de cinq éléments dont la tenue en tension VDS est de 25 V. Ainsi, le modèle CSD16325Q5C, proposé à 1,47 $ par 1000 pièces, est notamment caractérisé par une charge totale de grille de 18 nC, une résistance à l’état passant comprise entre 1,5 et 2,1 milliOhms, une tension de seuil grille-source de 1,1 V et une température maximale de jonction de 150°C.
