L’allemand introduit des Mosfet de puissance OptiMOS en versions 200 V et 250 V. Infineon Technologies a étoffé sa famille de Mosfet de puissance OptiMOS avec des modèles dont la tenue en tension est de 200 V ou 250 V.
Ces transistors canal N conviennent aux applications de redressement synchrone dans les systèmes 48 V, aux convertisseurs DC/DC, aux alimentations secourues (UPS) et aux onduleurs pour la commande de moteurs DC.
Selon la société, les nouveaux venus affichent une résistance à l’état passant de moitié inférieure à celle des produits alternatifs. La charge de grille est quant à elle jusqu’à 35 % moindre. Ce qui se traduit finalement par de faibles pertes et une commutation plus rapide.
Les caractéristiques de ces OptiMOS ont aussi une incidence sur le boîtier. Il est ainsi envisageable de passer du format D²PAK traditionnel (9x10x4,5 mm) au SuperSO8 qui, avec ses dimensions de 5x6x1 mm, se révèle bien moins encombrant.
D’ores et déjà disponibles, les OptiMOS 200 V et 250 V incluent des éléments en boîtiers TO-220, TO-262, D²PAK et SuperSO8, crédités de RDS(on) entre 10,7 et 60 mOhms.
Par commande de 10000 pièces, les prix démarrent à 1,2 $ ou 1,4 $, pour les versions 200 V et 250 V respectivement.
