Vishay lance des DrMOS à forte densité de puissance

Le 18/01/2016 à 11:18 par Philippe Dumoulin

Par rapport aux approches discrètes, les DrMOS de 30A ou 40A de Vishay permettent d’obtenir un gain de 45% de l’empreinte sur la carte.

Cinq éléments viennent compléter la famille d’étages de puissance VRPower de Vishay. Ces DrMOS, qui combinent dans un boîtier PowerPAK de 4,5×3,5mm ou 5x5mm des Mosfet de puissance, leur étage de commande de grille et une diode Schottky de bootstrap, sont destinés aux convertisseurs DC-DC abaisseurs synchrones, aux modules de régulation de tension et aux régulateurs multiphases qui alimentent les processeurs, les GPU des cartes graphiques et les mémoires énergivores. Ils sont notamment optimisés pour les plates-formes Skylake d’Intel.

Référencés SiC530CD, SiC531CD, SiC532CD, SiC631CD et SiC632CD, les nouveaux venus sont susceptibles de délivrer jusqu’à 30A ou 40A, selon le boîtier. Certains supportent le mode PS4 de la spécification IMVP8. Vis-à-vis des solutions discrètes, la société fait état d’une réduction de 45% de l’empreinte sur la carte.

Copy link
Powered by Social Snap