Destiné à la circuiterie de commutation côté primaire des alimentations secteur, le dernier Mosfet 600 V de la société tire profit d’une nouvelle structure à superjonction. Renesas Electronics annonce la disponibilité d’un Mosfet de puissance 600 V / 20 A destiné aux alimentations des serveurs PC, des écrans TV à LCD, des stations de base et autres générateurs solaires.
Référencé RJK60S5DPK, ce transistor canal N affiche typiquement une résistance à l’état passant de 150 mOhms, pour un courant de drain de 10 A et un VGSS de 10 V. Ce qui, par rapport aux produits antérieurs de la société, représente une réduction des pertes en conduction de quelque 52 %.
Quant à la charge de grille, qui affecte la vitesse de commutation, elle est de 6 nC seulement, soit un gain de 80 %.
Le facteur de mérite (à savoir le produit de la résistance à l’état passant par la charge de grille) amélioré est lié à l’adoption d’une nouvelle structure, dite à superjonction de haute précision.
Le boîtier du RJK60S5DPK est de taille équivalente et de brochage identique à celui d’un TO-3P standard (15,6 x 19,9 mm).
Renesas envisage la réalisation prochaine de transistors en boîtiers TO-220FL plus compacts (10 x 15 mm), crédités d’un niveau de performances équivalent à celui des modèles en boîtiers TO-3P existants.
