Electroniques.biz

Le GaN progresse chez Nexperia

Rédigé par  lundi, 15 juin 2020 07:13
Le GaN progresse chez Nexperia

Le néerlandais réduit l'encombrement et la résistance de ses transistors Fet en nitrure de gallium. 

Nouvelle gamme de transistors de puissance chez Nexperia avec les GAN041-650WSB et GAN039-650NBB, deux transistors Fet en nitrure de gallium (GaN) 650V respectivement proposés dans un boîtier TO-247 et CCPAK. Bénéficiant de la technologie GaN HEMT H2 du néerlandais, ces composants sont plus compacts de 24% grâce à l'utilisation de liaisons traversantes (through-epi vias). Leur résistance à l'état passant a, elle, été ramenée à 35mohms typique à 25°C en TO-247 et 33mohms en CCPAK. Ces deux circuits sont conformes à la norme AEC-Q101 et conviennent à de nombreuses applications automobiles, télécoms et réseaux pour des puissances comprises entre 1,5 et 5kW (chargeurs, redresseurs, convertisseurs DC/DC, alimentations). 

 

27 octobre 2020
26 octobre 2020
25 octobre 2020
23 octobre 2020
22 octobre 2020
21 octobre 2020

Embarqué
Adm21: système  GPU + COM Express de type 7 ConnectTech Connect Tech annonce la sortie de son nouveau système embarqué GPU Type 7 + COM Express. Ce système [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
03/11/2020 - 04/11/2020
IBS (Intelligent Building Systems)
10/11/2020 - 13/11/2020
Electronica
01/12/2020 - 03/12/2020
Aeromart
10/01/2021 - 15/01/2021
European Microwave Week