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Pilotes silicium et transistors GaN réunis dans un module compact

Rédigé par  lundi, 05 octobre 2020 07:55
Pilotes silicium et transistors GaN réunis dans un module compact

Une famille de modules miniatures pour chargeurs et adaptateurs de STMicroelectronics associe des transistors de puissance en nitrure de gallium et un étage de commande en silicium. 

STMicroelectronics lance des modules baptisés MasterGaN et embarquant une commande de demi-pont en silicium et deux transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN) - une première dans l'industrie selon le fabricant. Cette association entend réduire les dimensions et le poids des chargeurs et adaptateurs jusqu'à une puissance de 400W, et simplifier la tâche des concepteurs qui doivent habituellement combiner deux composants distincts. Le MasterGaN1 comprend deux transistors GaN HEMT 650V/10A en demi-pont, présentant une résistance à l'état passant de 150mOhms, et des pilotes côté haut et côté bas dans un boîtier QFN de 9x9mm. Des entrées supportent une tension de 3,3V à 15V pour connecter facilement un circuit numérique (microcontrôleur, DSP) et/ou des capteurs à effet Hall. Le MasterGaN1 est vendu 7$ pièce par lots de 1000.

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