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Le SiC améliore les transistors 1200 V de Toshiba

Rédigé par  mercredi, 21 octobre 2020 10:14
Le SiC améliore les transistors 1200 V de Toshiba

Le japonais lève le voile sur un Mosfet 1200 V en carbure de silicium bien plus rapide et frugal que les modèles silicium. 

Baptisé TW070J120B, le dernier Mosfet 1200V de Toshiba Electronics bénéficie d'un technologie SiC pour réduire de 80% les pertes en commutation et de 70% le temps de commutation à la coupure par rapport à un IGBT silicium équivalent. Ce Mosfet en carbure de silicium trouvera sa place dans les alimentations AC-DC 400V, les onduleurs photovoltaïques ou encore les convertisseurs DC-DC pour alimentations sans coupure. Il présente une capacité d'entrée de 1680pF, une charge d'entrée de grille de 67nC et une résistance à l'état passant de 70mOhms, pour une tension de déclenchement de grille comprise entre 4,2V et 5,8V. 

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