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Les Mosfet SiC 1200V d'Infineon se montent en surface

Rédigé par  jeudi, 05 novembre 2020 15:54
Les Mosfet SiC 1200V d'Infineon se montent en surface

L'allemand ajoute à sa gamme de transistors de puissance en carbure de silicium des modèles 1200V encapsulés dans un boîtier D2PAK-7 à forte dissipation.

Infineon Technologies entend supprimer les ventilateurs de refroidissement des montages d'alimentation pour moteurs de robots et d'automatismes avec ses transistors Mosfet CoolSiC, des modèles 1200V encapsulés en boîtier montable en surface D2PAK-7 doté de la technologie propriétaire .XT qui améliore la dissipation d'énergie. Ces transistors en carbure de silicium présentent selon l'allemand des pertes réduites de 80% par rapport aux modèles silicium. Selon les modèles, la résistance à l'état passant varie de 30 à 350mOhms. Des versions 650V seront échantillonnées l'an prochain, avec des RDS(on) de 25 à 200mOhms. 

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