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Vishay multiplie les diodes Schottky SiC

Rédigé par  mardi, 02 février 2021 10:09
Vishay multiplie les diodes Schottky SiC

L'américain présente dix nouvelles diodes Schottky 650V en carbure de silicium pour alimentations à découpage haute fréquence.

Vishay entend améliorer le rendement des montages de conversion d'énergie à fréquence de découpage élevée avec toute une gamme de diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) 650V. Ces dix nouveaux modèles référencés VS-CxxET07T-M3 et VS-CxxCP07L-M3 supportent un courant allant de 4A à 40A et une température de fonctionnement maximale de 175°C. Reposant sur une architecture MPS (merged PIN Schottky), ils conviennent aux montages de redressement et de corection de facteur de puissance dans les alimentations de serveurs, d'équipements télécoms ou encore de panneaux solaires. 

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