Infineon Technologies cible l'automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC) avec un module CoolSiC Hybrid Discrete 650V constitué d'un IGBT Trenchstop 5 50A et d'une diode Schottky en carbure de silicium. Cette solution permet d'atteindre un rendement de 95% à 97%, avec des pertes de découpage réduite de 30% par rapport à des montages purement silicium selon le fabricant.
Automobile : Infineon mêle IGBT et diode SiC
Rédigé par Frédéric Rémond mardi, 09 mars 2021 06:28L'allemand associe un transistor IGBT 50A et une diode Schottky en carbure de silicium dans une solution 650V à haut rendement.
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