Electroniques.biz

Automobile : Infineon mêle IGBT et diode SiC

Rédigé par  mardi, 09 mars 2021 06:28
Automobile : Infineon mêle IGBT et diode SiC

L'allemand associe un transistor IGBT 50A et une diode Schottky en carbure de silicium dans une solution 650V à haut rendement.

Infineon Technologies cible l'automobile (chargeurs embarqués, correction de facteur de puissance, conversion DC-DC et DC-AC)  avec un module CoolSiC Hybrid Discrete 650V constitué d'un IGBT Trenchstop 5 50A et d'une diode Schottky en carbure de silicium. Cette solution permet d'atteindre un rendement de 95% à 97%, avec des pertes de découpage réduite de 30% par rapport à des montages purement silicium selon le fabricant.

22 avril 2021
21 avril 2021
20 avril 2021
19 avril 2021
18 avril 2021

Composants
Diodes Laser Continues Nos diodes laser CW offrent modularité sur une large plage spectrale. Disponibles de 405 nm à 1610 [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
04/05/2021 - 06/05/2021
SMTconnect
04/05/2021 - 06/05/2021
PCIM Europe
01/06/2021 - 03/06/2021
JEC World 2021
28/06/2021 - 01/07/2021
MWC Barcelona