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Un double Mosfet SiC 3300V gère 800A dans un boîtier compact

Rédigé par  mardi, 09 mars 2021 18:38
Un double Mosfet SiC 3300V gère 800A dans un boîtier compact

Toshiba présente un module aux dimensions réduites embarquant un double transistor Mosfet 3300V en carbure de silicium supportant de forts courants.

Toshiba Electronics concilie rendement et compacité avec son MG800FXF2YMS3, un double Mosfet 3300V en carbure de silicium supportant des courants de 800A. Ce module est orienté vers des applications telles que la commande de moteurs et de charges industrielles, le redressement pour générateurs d'énergie renouvelable ou encore les infrastructures ferroviaires. Le japonais a particulièrement soigné le boîtier iXPLV, pourvu de liaisons en argent fritté. Le module supporte des températures atteignant 175°V et assure une isolation jusqu'à 6000VRMS. Les pertes en commutation sont limitées à 250mJ (turn-on) et 240mJ (turn-off).

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