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ST adapte ses circuits de commande de grille aux Mosfet SiC

Rédigé par  vendredi, 19 mars 2021 08:26
ST adapte ses circuits de commande de grille aux Mosfet SiC

Un circuit de commande de grille de la famille STGAP du fabricant franco-italien a été spécifiquement conçu pour répondre aux besoins spécifiques des transistors de puissance en carbure de silicium.

Contrôler les transistors Mosfet haute tension en carbure de silicium en toute sécurité, telle est l'ambition du STGAP2SiCS lancé par STMicroelectronics. Supportant une tension haute de rail pouvant atteindre 1200V, ce circuit commande une grille jusqu'à 26V avec un seuil de blocage en sous-tension porté à 15,5V pour s'adapter aux caractéristiques de déclenchement des Mosfet SiC. Il assure une isolation galvanique de 6kV entre l'étage d'entrée et la sortie de commande, et peut fournir ou recevoir 4A et donc convenir aux montages de conversion, d'alimentation et de redressement de moyenne et forte puissance. 

Deux configurations de sortie sont disponibles. La première repose sur des broches de sortie distinctes et vise à optimiser les temps de turn-on et turn-off au moyen d'une résistance de grille dédiée. Conçue pour le découpage à fréquence élevée, la seconde mobilise une broche de sortie unique associée à un verrouillage (Miller clamp) limitant l'oscillation de la tension grille-source du Mosfet SiC. Le STGAP2SiCS est encapsulé en boîtier SO-8W et vendu 2$ pièce par lots de 1000.

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