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vendredi, 19 février 2021 10:22

ON Semi s'adonne au carbure de silicium

Des transistors Mosfet 650V en SiC de l'américain se distinguent par une résistance à l'état passant très réduite.

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Infineon combine un transistor IGBT 650V et des diodes Schottky en carbure de silicium dans des composants à rendement élevé convenant à la conversion de puissance DC-DC et à la correction de facteur de puissance. 

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Grâce à la technologie de carbure de silicium de Rohm, cet accord va permettre à la division de Continental spécialisée dans les groupes motopropulseurs de développer des solutions d’alimentation plus efficaces à destination des véhicules électriques.
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La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

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La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

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Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.

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Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

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Proposés sous la forme de puces nues de dimensions réduites, ces transistors en carbure de silicium seront encapsulés dans le même boîtier que le circuit contrôleur et le Mosfet silicium basse tension requis par la structure cascode.

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