L’américain et le japonais ont récemment mis en place un partenariat technologique pour développer des LED en GaN sur substrat de silicium à partir de tranches de 8 pouces de diamètre. Leurs efforts communs commencent déjà à porter leurs fruits. Il y a quelques mois, Bridgelux, fabricant américain de modules de LED (photo), également connu pour ses travaux dans le domaine des LED GaN sur substrat de silicium, et Toshiba, fabricant japonais de semi-conducteurs, ont mis en place un partenariat technologique visant à développer des LED GaN de puissance sur substrat de silicium à partir de wafers de 8 pouces de diamètre.
Rappelons que la technologie de LED GaN sur substrat de silicium, dont Bridgelux est l’un des spécialistes, s’avère très prometteuse pour l’avenir car elle est potentiellement beaucoup moins onéreuse que celle utilisée pour fabriquer les LED blanches de puissance conventionnelles réalisées, elles, sur substrat de saphir ou de carbure de silicium (SiC). D’autant que les performances récemment obtenues par Bridgelux, par exemple, sont du même ordre que celles des LED conventionnelles.
L’idée d’utiliser des substrats en silicium est aussi intéressante car elle permettrait de fabriquer des LED de puissance sur des chaînes de production empruntées à l’industrie des semi-conducteurs. De plus, les puces LED pourraient être produites à partir de tranches de silicium plus grandes que les tranches de saphir ou de SiC servant de base aux puces LED classiques.
C’est la raison pour laquelle le partenariat entre Bridgelux et Toshiba s’est focalisé sur la réalisation de puces LED à partir de wafers de silicium de 8 pouces de diamètre. Les LED conventionnelles du marché sont, elles, fabriquées à partir de tranches de 2, 3 ou 4 pouces de diamètre (des essais sont toutefois menés sur des substrats de 6 pouces).
Le partenariat entre les deux sociétés porte déjà ses fruits puisqu’elles ont réussi à fabriquer des puces LED bleu en GaN sur substrat de silicium à partir de tranches de 8 pouces, puces LED dotées de performances de très bonne facture. En l’occurrence, elles fournissent une puissance optique de 614 mW, sous 350 mA et pour une tension directe inférieure à 3,1 V, pour une surface d’émission de 1,1 mm2.
Par ailleurs, Toshiba vient d’annoncer qu’il avait investi dans Bridgelux. Mais le montant de la transaction est resté confidentiel.
