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Le dernier transistor IGBT du japonais améliore le rendement et la flexibilité des appareils de cuisson basés sur la résonnance. 

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Référencé AFGHL50T65SQDC, cet IGBT de 650V intègre une diode Schottky en carbure de silicium. Il est accompagné d'une série de pilotes de grille à fort courant.

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Dans un boîtier DIP, l'IPM CIPOS Maxi IM818 intègre notamment un ondulateur triphasé à base d'IGBT 1200 V, un circuit de commande de grille en SOI et une thermistance CTN.

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Fabriqués sur des tranches de 12 pouces, les IGBT6 Trenchstop de l'allemand sont déclinés en deux famille, S6 et H6, en fonction des pertes affichées en conduction et en commutation.

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Optimisé pour les IGBT et les Mosfet, le SID1183K fait appel à une technologie magnéto-inductive qui évite l'usage de photocoupleurs.

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Les derniers modules IGBT 1200V/1700V de l'allemand répondent à la demande des applications exigeant une densité de puissance supérieure, sans contrepartie sur la taille du boîtier.

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Proposé sous la forme de feuilles de 200 µm d'épaisseur, le Soft-PGS de Panasonic se présente comme une alternative à la graisse thermique et aux matériaux à changement de phase.

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Murata lance trois séries de convertisseurs DC-DC isolés fournissant les 2, 3 ou 4 tensions requises par les pilotes de grille d'IGBT, dans les configurations en demi-pont, pont complet ou pont triphasé.

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Les deux premiers éléments de la famille RC-E d'Infineon sont des IGBT 1200V de 15A et 25A en boîtier TO-247, affichant de faibles pertes.

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Les derniers IGBT 600V en technologie Trenchstop de l'allemand ciblent les applications industrielles et grand public.

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4 décembre 2020
3 décembre 2020
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1 décembre 2020
30 novembre 2020

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