X-Fab propose un procédé de fabrication 0,18 µm dédié à la gestion de puissance

Le 04/11/2011 à 11:33 par Didier Girault

La technologie du fondeur de silicium allemand se veut adaptée aux circuits intégrés mêlant fonctions numériques – incluant des mémoires de type flash, EEprom ou OTP -, analogiques et de puissance.

Le fondeur allemand de silicium X-Fab Silicon Foundries vient d’annoncer une technologie de production de circuits intégrés de largeur de trait 0,18 µm qui permet de fabriquer des composants mêlant des fonctions numériques – type microcontrôleur -, analogiques et de puissance ainsi que de mémoire (type flash, EEprom et OTP pour One Time Programmable).

Baptisé XP018, ce procédé permet de faire coexister des alimentations de 5 V (requis par les sous-ensembles numériques) et de 60 V (dont ont besoin les parties puissance).
La technologie XP018 est destinée notamment à la fabrication de semi-conducteurs pour l’automobile, un secteur demandeur de circuits de gestion de la puissance.

Fort de 2400 employés, X-Fab s’appuie sur des usines basées à Erfurt et Dresde en Allemagne, Lubbock (Texas) et Kuching (Malaisie). Il utilise des procédés de fabrication Cmos et BiCmos pour des dimensions comprises entre 1 et 0,13 µm.

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