UMC propose un procédé de fabrication 0,11 µm à interconnexions en aluminium

Le 10/01/2012 à 16:43 par Didier Girault

Le fondeur de silicium taïwanais utilise ce procédé, baptisé technologie A+, dans ses usines opérant avec des wafers de diamètre 200 mm.

UMC, fondeur de silicium taïwanais, annonce la disponibilité de la technologie A+ qui est un procédé de fabrication 0,11 µm à interconnexions en aluminium.
Ce procédé est déjà opérationnel dans les usines du groupe qui utilisent des wafers 8 pouces (diamètre 200 mm).

La technologie A+ se veut une alternative économique aux technologies 0,11 µm à interconnexions en cuivre. Elle regroupe des procédés de fabrication dédiés aux circuits logiques, aux circuits radiofréquences (RF Cmos), aux mémoires Flash et Eeprom (eFlash et eEeProm), aux circuits haute tension (eHV) ainsi qu’aux cellules solaires couche mince (CIS).
La technologie A+ est parfaite pour les applications de type circuits de contrôle (timers, contrôleurs LCD…), capteurs, etc. Elle représente une migration performante pour les technologies 0,18µm et 0,13/0,11 µm à interconnexions cuivre“, souligne Steve Wang, vice-président d’UMC, responsable marketing et commercial pour l’Asie.

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