Ces substrats servent à la fabrication de LED et ainsi que de composants de puissance pour l’énergie et les véhicules électriques.
Soitec, spécialiste du silicium sur isolant et des systèmes solaires à concentration, et Sumitomo, fournisseur de semi-conducteurs composés, viennent de réaliser des substrats avancés de nitrure de gallium (GaN) en plaques de diamètres 100 et 150 mm.
Ces substrats sont obtenus en transférant des couches de GaN ultra-minces, qui sont prélevées sur une tranche de GaN normale, sur un support standard. L’intérêt est d’abord financier puisque les plaques résultantes ont les mêmes qualités que celles de GaN massif pour un prix de revient moindre.
Ces tranches de substrats avancés GaN servent pour la fabrication de LED et de composants de puissance utilisés dans le secteur de l’énergie ainsi que dans les véhicules électriques.
Dans la pratique, Sumitomo Electric se charge de la fabrication des plaques de GaN alors que Soitec apporte sa technologie de transfert de couches Smart Cut.
Forts de ce succès, les deux partenaires vont maintenant investir dans la création de lignes de production pilotes à Itami (Japon) et à Bernin (France). Ces lignes seront initialement utilisées pour produire des plaques de diamètre 100 mm; par la suite, elles serviront à la production de plaques 150 mm.
