Conçu pour les applications au sol ou aéroportées, commerciales ou militaires, le transistor de puissance RF de Microsemi délivre 750 W à 1 GHz, en mode pulsé.

Réalisé selon une technologie Hemt GaN sur substrat en carbure de silicium, le dernier transistor de puissance RF de Microsemi délivre une puissance crête de 750 W (en mode pulsé), et ce sous une tension de 50 V.

Estampillé MDSGN-750ELMV, ce transistor, dont la tension de claquage est supérieure à 200 V, cible les dispositifs de contrôle du trafic aérien et d’évitement des collisions. Dans la bande 1030 à 1090 MHz, il affiche un gain de 17 dB et un rendement de drain de 70 %. Entre -40°C et +85°C, la variation de la puissance de sortie est de ±0,7 dB seulement.