Un transistor de puissance en GaN dédié à l’avionique

Le 05/02/2014 à 8:48 par Philippe Dumoulin

Destiné aux radars en bande L, le transistor HEMT de Macom est susceptible de fournir 500 W en mode pulsé.

Pour les applications large bande du domaine de l’avionique (équipements de mesure de distance, systèmes d’alerte de trafic et d’évitement de collision, liaisons de données), Macom (M/A-Com Technology Solutions) lance un transistor de puissance HEMT en nitrure de gallium sur substrat en carbure de silicium.

Typiquement conçu pour les radars fonctionnant en bande L entre 960 et 1215 MHz, ce transistor référencé MAGX-000912-500L00 délivre 500 W, sous 50 V et en mode pulsé (durée 128 µs, rapport cyclique de 10 %). Et ce avec un gain de 19,8 dB et un rendement de 60 %. L’adaptation est réalisée en interne.

Robuste, le composant est également caractérisé par une tension de claquage élevée. Son MTTF (Mean Time to Failure, temps moyen de bon fonctionnement) est d’ailleurs donné pour 600 ans, pour une température de jonction inférieure à 200°C.

Le MAGX-000912-500L00 est disponible en versions avec ou sans bride.

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