Qorvo adopte le boîtier plastique pour ses amplificateurs de puissance en GaN

Le 04/06/2015 à 7:12 par Philippe Dumoulin

Les TGA281x-SM en boîtiers QFN de l’américain délivrent entre 30 et 100W, en mode pulsé dans la bande S.

Qorvo, la société résultant de la fusion de TriQuint et RFMD, introduit une série d’amplificateurs de puissance en nitrure de gallium sur carbure de silicium pour les radars commerciaux ou militaires en bande S. Pour ces MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit, circuit intégré monolithique hyperfréquence), la société a opté pour des boîtiers plastique de type QFN. Leur vocation est de diminuer le poids et la taille des systèmes radar, tout en améliorant leurs performances.

La série se compose de quatre circuits référencés TGA2818-SM (30W en mode pulsé, 2,8 à 3,7GHz), TGA2817-SM (60W en mode pulsé, 2,9 à 3,5GHz), TGA2814-SM (80W en mode pulsé, 3,1 à 3,5GHz) et TGA2813-SM (100W en mode pulsé, 3,1 à 3,6GHz). Les dimensions de ces MMIC sont de 6x6mm, 7x7mm, 7x7mm et 7x9mm, respectivement.

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