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Infineon améliore la tenue aux ESD de ses transistors RF bipolaires

Rédigé par  jeudi, 08 juillet 2010 14:47
Infineon améliore la tenue aux ESD de ses transistors RF bipolaires
Les derniers modèles de l’allemand offrent une protection de 2 kV contre les décharges électrostatiques. Soit un gain d’un facteur 10 par rapport aux transistors de génération précédente.
Référencés BFP640ESD, BFP720ESD et BFP740ESD, les trois derniers transistors RF bipolaires d’Infineon Technologies offrent une protection accrue contre les décharges électrostatiques (ESD).
Celle-ci est en effet de 2 kV, avec un modèle corps humain. Ce qui, par rapport aux composants de précédente génération, correspond à une amélioration d’un facteur 10. Par ailleurs, la puissance maximale admissible a été portée de +10 dBm à +20 dBm.

Réalisés selon un procédé SiGe:C, ces transistors sont caractérisés par une fréquence de transition de 45 GHz et un facteur de bruit de 0,6 dB à 2,4 GHz. Leur tension de claquage est de 4,7 V. Quant à la puissance maximale dissipée, elle est de 100 mW, 160 mW ou 200 mW, selon la référence.

Les BFP640ESD, BFP720ESD et BFP740ESD sont encapsulés dans des boîtiers SOT343 ou TSFP-4 à encombrement réduit (1,4x1,2x0,55 mm).
Ils trouveront leur juste emploi dans les LNA, les mélangeurs actifs ou les VCO incorporés dans les téléphones mobiles, les routeurs WLan, les modules WiMAX et GPS, les boîtiers-décodeurs, les antennes actives, les cartes Wi-Fi

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