Electroniques.biz

Mitsubishi améliore le rendement des transistors de puissance pour stations de base 4G

Rédigé par  mercredi, 07 septembre 2016 08:47
Mitsubishi améliore le rendement des transistors de puissance pour stations de base 4G

Le transistor de 220W en GaN du japonais va permettre d'augmenter le rendement et diminuer la taille des amplificateurs de puissance fonctionnant dans la bande des 2,6GHz.

Mitsubishi annonce le développement d'un transistor de puissance HEMT (High Electron Mobility Transistor) en nitrure de gallium destiné aux émetteurs des stations de base 4G. A 2,6GHz, le MGFS53G27ET1 délivre une puissance en saturation de 220W sous 50V. Son gain linéaire est quant à lui de 18dB. Avec son rendement de drain de 74%, ce transistor en boîtier céramique va permettre de gagner en consommation et en taille des amplificateurs de puissance. Les premiers échantillons sont prévus pour début novembre.

8 mars 2021

Composants
Antennes Cornets en Impression 3D Elliptika Propose une gamme d'antennes cornets en impression 3D de la bande S à la bande Ka permettant [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
10/03/2021 - 11/03/2021
IBS (Intelligent Building Systems)
04/05/2021 - 06/05/2021
PCIM Europe
04/05/2021 - 06/05/2021
SMTconnect
01/06/2021 - 03/06/2021
JEC World 2021