Record de puissance annoncé pour un amplificateur GaN en bande millimétrique

Le 12/10/2010 à 12:33 par Philippe Dumoulin

L’amplificateur de puissance annoncé par Fujitsu vise les applications de communication sans fil à haut débit en bande W. Fujitsu et Fujitsu Laboratories ont annoncé le développement d’un amplificateur de puissance HEMT en nitrure de gallium délivrant la puissance inédite de 1,3 W, à destination des applications de communication sans fil à haut débit exploitant les ondes millimétriques. Et plus précisément pour la bande W allant de 70 à 100 GHz environ.

Selon la société, un tel résultat serait de 16 fois supérieur à celui obtenu avec les circuits intégrés actuels réalisés en arséniure de gallium. Ce qui, approximativement, se traduira par une portée accrue d’un facteur six.
L’an dernier, Fujitsu avait réussi à produire un amplificateur de puissance HEMT GaN dont la puissance était cependant limitée à 350 mW.

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