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1800W à 1GHz pour un transistor en GaN sur SiC

Rédigé par  mardi, 03 avril 2018 10:36
1800W à 1GHz pour un transistor en GaN sur SiC

Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

Sous la référence QPD1025, Qorvo introduit un transistor RF de puissance apte à délivrer une puissance de 1,8kW (soit 62,7dBm, en régime de saturation) à 1 GHz et sous une tension de 65V. Pour obtenir une telle puissance l'américain a fait appel à une technologie HEMT GaN sur SiC. Par rapport aux LDMOS en silicium, la société met en avant un rendement nettement amélioré (jusqu'à 15 points).

Parmi les autres caractéristiques du QPD1025 : un gain linéaire de 22,5dB, une fréquence de fonctionnement comprise entre 1 et 1,1GHz, une puissance de 1500W à 3dB et un rendement en puissance ajoutée de 77,2% (valeur typique). Ce transistor, pré-adapté à l'entrée, peut fonctionner en onde entretenue (CW) ou en régime pulsé. Proposé selon deux types de boîtiers à cavité (QPD1025, QPD1025L), il cible les applications IFF et avioniques en bande L, ainsi que l'instrumentation de test.

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