Le XP236N2001TR est un Mosfet de 30V/2A, alors que le XP264N0301TR est un Mosfet de 60V/0,3A.

L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

Le transceiver SCT2400 du britannique est notamment conçu pour remplacer les solutions PMR/LMR sans licence actuelles, telles que FRS/MURS/GMRS/PMR446.

Les modules des séries PKE3000 et PKE5000 constituent des solutions de grande robustesse, dans un facteur de forme de 1x1 pouce standard.

Pour ce faire, l'américain compte investir jusqu'à 1 milliard de dollars dans la filière SiC sur une période de cinq ans.

Au nombre de trois, les derniers modules photovoltaïques en silicium monocristallin de Sharp conviennent à une large palette d'applications, des projets résidentiels aux installations commerciales, en passant par les centrales au sol.

Par rapport aux diodes de protection de précédente génération de la société, l'épaisseur du boîtier a été diminuée de moitié.

Les alimentations des séries GB10, GB20, GB30 et GB40 sont assorties des homologations de sécurité en usage dans les secteurs industriel et médical.

Ce centre de support au développement d’applications de conversion d’énergie, tirant profit des semiconducteurs de puissance en GaN sur silicium du grenoblois, fonctionnera en étroite collaboration avec CEA Tech.